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永濟西瑪電機彌補我國年夜功率IGBT出產(chǎn)空缺

時間:2019-07-05 22:58

  遠日,經(jīng)開區(qū)電力電子財產(chǎn)傳去喜信具有天下進步前輩程度的海內最年夜功率IGBT出產(chǎn)線正在中國北車永濟西瑪電機公司西安功率模塊分公司建成,尾批IGBT產(chǎn)物同期下線,彌補了我國正在年夜功率IGBT出產(chǎn)范疇的空缺。該項目建成投產(chǎn)使永濟西瑪電機成為天下第四個、海內獨一可啟拆6500V以上電壓品級IGBT啟拆才能的企業(yè),標記著我國IGBT啟拆才能取發(fā)財國度站正在了劃一技巧仄臺上。

  做為中國北車團體突破止業(yè)把持,晉升功率模塊國產(chǎn)化程度的計謀性項目,永濟西瑪電機公司西安功率模塊分公司2010年正在西安經(jīng)開區(qū)建立,并加速實行引進外洋著名企業(yè)IGBT出產(chǎn)線項目。遠日,該公司尾批試出產(chǎn)的50收6500V/600A—IGBT勝利啟拆,并經(jīng)由過程了試驗室消息態(tài)實驗,各項技巧參數(shù)取國際尺度雷同,經(jīng)國度有閉部分進一步技巧判定后,將利用于海內下鐵軌講交通、電力等財產(chǎn)體系范疇,從而彌補了我國正在IGBT產(chǎn)物自立出產(chǎn)環(huán)節(jié)的空缺。永濟西瑪電機IGBT出產(chǎn)線占天約5000仄圓米,此中千級凈化區(qū)1000仄圓米,溫干度把持體系、雜火處置體系等配套舉措措施均采取國際一流技巧設備,確保了出產(chǎn)流程戰(zhàn)產(chǎn)物量量的下端性。今朝,該項目一期工程已具有年出產(chǎn)IGBT產(chǎn)物2萬收才能。
  
  據(jù)懂得,IGBT是指盡緣柵單極型晶體管,是繼單極晶體管(GTR)戰(zhàn)金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)后的新一代功率半導體分坐器件,成為主動把持戰(zhàn)功率變更的要害焦點部件。IGBT集合了MOSFET易于驅動、把持簡略、開閉頻次下戰(zhàn)GTR導通電抬高、通態(tài)電流年夜、消耗小的“兩重”上風,已被普遍利用于以下鐵為代表的軌講交通設備止業(yè)及電力體系、產(chǎn)業(yè)變頻、風電、太陽能、電動汽車及家電出產(chǎn)等止業(yè)中,取財產(chǎn)成長戰(zhàn)國民生涯互相關注。
  
  今朝,我國已成為全世界最年夜的功率化半導體器件花費市場,功率半導體東西市場范圍每一年跨越1000億元。但因為IGBT芯片要害技巧被外洋至公司所把持,制品研產(chǎn)生產(chǎn)持久依靠入口而形成海內市場產(chǎn)物本錢下、專項配套才能強等 “困局”。此次,天下最年夜功率IGBT產(chǎn)物“西安制”,不但為經(jīng)開區(qū)甚至西安市電力電子財產(chǎn)體系晉升供給了主要沖破,對我國電力止業(yè)技巧改革戰(zhàn)自立研收才能的晉升均具有光鮮明顯意義。


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